Infineon erweitert seine österreichische Fertigung um eine 300-Millimeter-GaN-Plattform. In Villach sollen künftig Leistungshalbleiter in besonders hohen Mengen entstehen. Die Anlage unterstützt Anwendungen mit steigenden Anforderungen an Energieeffizienz. Das Unternehmen veranschlagt für das Vorhaben 1,1 Milliarden Euro. Die Mittel werden bis 2034 in bestehende Reinräume investiert. Als Termin für den Produktionsstart gilt Ende 2027. Der Ausbauumfang wird regelmäßig mit der Marktnachfrage abgestimmt.
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Infineon positioniert Villach als globalen Produktionsstandort für GaN-Leistungshalbleiter künftig
Infineon errichtet in Villach eine Fertigungsplattform, die großformatige GaN-Wafer verarbeitet. Mit 300 Millimetern Durchmesser sind die Substrate für hohe Stückzahlen geeignet. Die Produktionslinie unterstützt die Überführung der Technologie in industrielle Serienvolumina. Durch mehr nutzbare Fläche entstehen zahlreiche Halbleiterbauelemente pro Bearbeitungsschritt. Das verbessert die Voraussetzungen für eine effiziente und skalierbare Produktion. Villach baut gleichzeitig seine technischen Fähigkeiten im Bereich Leistungselektronik aus. Der Standort wird als globales Kompetenzzentrum für Halbleiterfertigung weiterentwickelt.
Modernisierte Produktionsinfrastruktur ermöglicht flexiblen Ausbau ohne kompletten Neubau künftig
Infineon erweitert Möglichkeiten durch die Modernisierung bestehender Reinräume in Villach. Die vorhandenen Strukturen werden technisch für neue Leistungshalbleiterprozesse aufgerüstet gezielt. Damit entfallen große Teile der Kosten eines Neubaus am Standort. Die Infrastruktur kann weitergenutzt und zugleich bedarfsgerecht verbessert werden dort. Das schafft Spielraum für einen Ausbau in kontrollierten Etappen jeweils. Die Produktionsmenge orientiert sich an realen Abrufen und Marktprognosen fortlaufend. Der Ansatz vereint Kosteneffizienz mit einer flexiblen industriellen Skalierung dauerhaft.
Galliumnitrid unterstützt skalierbare Effizienzsteigerungen in modernen Stromversorgungssystemen weltweit künftig
GaN-Leistungstransistoren steigern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften erleichtern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung stärkt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Infineon plant Milliardenprojekt für flexible GaN-Produktion bis 2034 langfristig
Infineon will die neue Produktion für GaN-Leistungshalbleiter in Villach zum Jahresende 2027 starten. Über die Zeit bis 2034 sind Ausgaben von ungefähr 1,1 Milliarden Euro geplant. Die Erweiterung der Fertigung erfolgt in einzelnen Schritten und richtet sich nach dem Bedarf des Marktes. Damit kann Infineon den Produktionshochlauf an konkrete Absatzchancen anpassen. Die verfügbare Kapazität wächst nur dann weiter, wenn Kunden und Anwendungen entsprechende Mengen verlangen. Dies unterstützt eine effiziente Nutzung der Produktionsanlagen.
319 Millionen Euro stärken Europas Fertigungsstandort für Leistungshalbleiter nachhaltig
Die 319 Millionen Euro umfassende Förderung ist Teil der europäischen Strategie für mehr Halbleiterautonomie. Über den Europäischen Chips Act wird eine Fertigung unterstützt, die moderne Leistungshalbleiter in hoher Stückzahl produzieren soll. Der Standort Villach erhält dadurch bessere Voraussetzungen für den Ausbau seiner Produktionsmöglichkeiten. Die zusätzlichen Kapazitäten stärken Europas Versorgung mit strategisch relevanten Komponenten. Darüber hinaus kann das Projekt Lieferketten verkürzen, technisches Wissen bündeln und die Wettbewerbsfähigkeit der europäischen Industrie erhöhen.
Die Investition erschließt vorhandene Villacher Reinräume für moderne Galliumnitrid-Prozesse gezielt. Auf 300-Millimeter-Wafern entstehen künftig hohe Stückzahlen effizienter Leistungsbauelemente dort wirtschaftlich. Der Verzicht auf einen Neubau reduziert Aufwand und beschleunigt Umsetzungen. Infineon richtet die Erweiterung an der Entwicklung des Bedarfs aus. Damit lassen sich Kapazitätsrisiken begrenzen und Ressourcen zielgerichtet einsetzen besser. Die Chips unterstützen energieeffiziente Stromversorgung für digitale und elektrische Anwendungen. Europäische Förderung stärkt die Versorgungssicherheit gegenüber globalen Störungen merklich dauerhaft.
